机译:漏极偏置为28 nm的高K金属栅极p-MOSFET器件对负偏置温度不稳定性下降的新见解
机译:纳米级PMOS器件中源/漏偏置引起的异常负偏置温度不稳定性下降
机译:负偏置温度应力导致器件性能下降的电路级预测
机译:在正偏压下的NMOS高k器件中新的介电降解现象
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:Au / La2 / 3Ba1 / 3MnO3 / Pt器件中磁场的电场修正
机译:CMOS器件中负偏压温度不稳定性的机理:氮的降解,恢复和影响
机译:电气过压导致mOs(金属氧化物半导体)器件噪声特性的降低